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Semiconductor Strain Gages
개요
KSPB 시리즈 게이지는 안정적인 성능을 갖춘 반도체 스트레인 게이지로, 일반적인 응력 측정과 트랜스듀서 용도로 사용할 수 있습니다.

F2 타입은 2-엘리먼트 구조(Positive와 Negative)로 구성된 하프 브리지(Half-bridge)를 갖추고 있어 자체 온도 보상이 가능하며, 강철 제품의 변형률 측정에 적합합니다.
기술 정보
Major Properties
Materials Resistive element 1-element: P type Si
2-element: P type Si and N type Si (2-element structure)
Materials Base Polyimide
Operating temperature in combination with major adhesives after curing (°C) CC-33A: -50 to 120ºC
EP-340: -50 to 150ºC
Operating temperature in combination with major leadwire cables (°C) -
Self-temperature-compensation (°C) 1-element: -
2-element: 20 to 50
Applicable linear expansion coefficients (×10^-6/℃) 1-element: -
2-element: 11
Strain limits at normal temp. (approx. %) 1-element: 0.3
2-element: 0.15
Fatigue lives at normal temp. (times) 2x10^6 (±1000 μm/m)
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